QPD1008

製品属性

属性値

メーカー：

カーボ

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN SiC

利得：

17.5 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

50 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

145 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

出力電力：

162 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

Pd-消費電力：

127 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-360

包装：

トレイ

構成：

独身

動作周波数：

3.2 GHz

動作温度範囲：

- 40 C to + 85 C

シリーズ：

QPD

ブランド：

カーボ

開発キット：

QPD1008PCB401

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

25

サブカテゴリ：

トランジスタ

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 2.8 V

Tags

QPD100, QPD10, QPD1, QPD