AFT05MS003NT1

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

2.6 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 30 V

利得：

20.8 dB

出力電力：

3.2 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-89-3

包装：

リール

動作周波数：

1.8 MHz to 941 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネル数：

1 Channel

Pd-消費電力：

30.5 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 12 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.2 V

パーツ番号エイリアス：

935312585147

単位重量：

0.001792 oz

Tags

AFT05MS00, AFT05MS, AFT05, AFT0, AFT