FQPF6N80T

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220FP-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

3.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.95 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

51 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

QFET

包装：

チューブ

高さ：

16.07 mm

長さ：

10.36 mm

シリーズ：

FQPF6N80T

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.9 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.3 S

立ち下がり時間：

45 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

70 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

65 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns

パーツ番号エイリアス：

FQPF6N80T_NL

単位重量：

0.080072 oz

Tags

FQPF6N80, FQPF6N8, FQPF6N, FQPF6, FQPF, FQP