FSB660A

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SuperSOT-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

300 mV

最大DCコレクタ電流：

2 A

ゲイン帯域幅積fT：

75 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

FSB660A

DC電流ゲインhFEMax：

550

高さ：

0.94 mm

長さ：

2.92 mm

包装：

リール

幅：

1.4 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

2 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

250

Pd-消費電力：

500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

FSB660A_NL

単位重量：

0.001058 oz

Tags

FSB660A, FSB660, FSB66, FSB6, FSB