SIZ320DT-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAIR-3x3-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

30 A, 40 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.24 mOhms, 8.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 12 V, 16 V

Qg-ゲートチャージ：

9.5 nC, 17.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

16.7 W, 31 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SIZ

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

45 S, 68 S

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

28 ns, 45 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15 ns, 20 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns, 12 ns

Tags

SiZ32, SiZ3, SiZ