BSS123W

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

170 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

200 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

BSS123W

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

80 mS

立ち下がり時間：

5.73 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.24 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.94 ns

単位重量：

0.000176 oz

Tags

BSS123W, BSS123, BSS12, BSS1, BSS