MRF275G

製品属性

属性値

メーカー：

MACOM

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

26 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

11.2 dB

出力電力：

150 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

375-04

包装：

トレイ

構成：

デュアル

動作周波数：

100 MHz to 500 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

MACOM

Pd-消費電力：

400 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

40 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Tags

MRF27, MRF2, MRF