STP4N52K3

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

525 V

Id-連続ドレイン電流：

2.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.75 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

11 nC

Pd-消費電力：

20 W

構成：

独身

商標名：

MDmesh

包装：

チューブ

シリーズ：

STP4N52K3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.011640 oz

Tags

STP4N, STP4, STP