2SD1628G-TD-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PCP-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

500 mV

最大DCコレクタ電流：

8 A

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SD1628

DC電流ゲインhFEMax：

560 at 500 mA, 2 V

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

1.5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.001823 oz

Tags

2SD1628G-T, 2SD1628G, 2SD1628, 2SD162, 2SD16, 2SD1, 2SD