MMBTH10M3T5G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-723-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

25 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

3 V

ゲイン帯域幅積fT：

650 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MMBTH10M3

DC電流ゲインhFEMax：

60 at 4 mA, 10 V

高さ：

0.5 mm

長さ：

1.2 mm

包装：

リール

幅：

0.8 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60 at 4 mA, 10 V

Pd-消費電力：

640 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000045 oz

Tags

MMBTH10, MMBTH1, MMBTH, MMBT, MMB