2N6609

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3-2

トランジスタの極性：

PNP

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

140 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

160 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.4 V

ゲイン帯域幅積fT：

4 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

シリーズ：

2N6609

DC電流ゲインhFEMax：

60

包装：

バルク

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

16 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

5

Pd-消費電力：

150 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2N6609 PBFREE

Tags

2N6609, 2N660, 2N66, 2N6