NST847BPDP6T5G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-963-6

トランジスタの極性：

NPN、PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

45 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

最大DCコレクタ電流：

0.1 A

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NST847BPDP6T5G

DC電流ゲインhFEMax：

200 at 2 mA, 5 V

高さ：

0.37 mm

長さ：

1 mm

包装：

リール

幅：

0.8 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200 at 2 mA, 5 V at NPN, 220 at 2 mA, 5 V at PNP

Pd-消費電力：

420 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000042 oz

Tags

NST847, NST84, NST8, NST