IPD80R1K4P7ATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

10 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

32 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

CoolMOS

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

CoolMOS P7

幅：

6.22 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

パーツ番号エイリアス：

IPD80R1K4P7 SP001422564

単位重量：

0.011993 oz

Tags

IPD80R1K4P, IPD80R1K4, IPD80R1, IPD80R, IPD80, IPD8, IPD