IRFB18N50KPBF

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

17 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

290 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

120 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

220 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

15.49 mm

長さ：

10.41 mm

シリーズ：

IRFB

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.7 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.4 S

立ち下がり時間：

30 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

60 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

45 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

IRFB18N50, IRFB18, IRFB1, IRFB, IRF