MJE4353

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-93-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

160 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

160 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

3.5 V

最大DCコレクタ電流：

16 A

ゲイン帯域幅積fT：

1 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

高さ：

16.2 - 4 mm (Max)

長さ：

15.2 mm (Max)

包装：

チューブ

幅：

4.9 mm (Max)

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

16 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

15

Pd-消費電力：

125 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

MJE435, MJE43, MJE4, MJE