MRF5S21130HR3

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

N

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

2.1 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

13.5 dB

出力電力：

28 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-880-3

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

5.08 mm

長さ：

34.16 mm

動作周波数：

2.11 GHz to 2.17 GHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

13.8 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

372 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 0.5 V, 15 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.5 V

単位重量：

0.343346 oz

Tags

MRF5S21130H, MRF5S2113, MRF5S211, MRF5S2, MRF5S, MRF5, MRF