STP11NM60N

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

370 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

90 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

9.15 mm

長さ：

10.4 mm

シリーズ：

STB11NM60

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

4.6 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

7.5 S

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18.5 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

50 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

単位重量：

0.011640 oz

Tags

STP11NM60N, STP11NM60, STP11NM6, STP11NM, STP11N, STP11, STP1, STP