SQD40131EL_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

50 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

11.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

76 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

62 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

SQ

ブランド：

Vishay / Siliconix

立ち下がり時間：

28 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

66 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

Tags

SQD40, SQD4, SQD