T2N7002AK,LM

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.9 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

0.27 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

T2N7002

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.3 mm

ブランド：

東芝

フォワード相互コンダクタンス-最小：

450 mS

立ち下がり時間：

24 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

7 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2 ns

単位重量：

0.001340 oz

Tags

T2N7002AK,L, T2N7002A, T2N7, T2N