QS5W1TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-25T-5

トランジスタの極性：

NPN

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

30 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

200 mV

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

270 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

500 at 500 mA, 2 V

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

3 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200 at 500 mA, 2 V

Pd-消費電力：

1.25 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

QS5W1

Tags

QS5W, QS5