IXFT18N90P

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-268-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

900 V

Id-連続ドレイン電流：

18 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

600 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

540 W

構成：

独身

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

IXFT18N90

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

ポーラーパワーMOSFETHiPerFET

ブランド：

IXYS

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.158733 oz

Tags

IXFT18, IXFT1, IXFT, IXF