ZVN2120GTC

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

320 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.65 mm

長さ：

6.7 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

FET

幅：

3.7 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

20 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns

単位重量：

0.003951 oz

Tags

ZVN2120GT, ZVN2120G, ZVN212, ZVN21, ZVN2, ZVN