FJN4308RBU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

独身

トランジスタの極性：

PNP

一般的な入力抵抗：

47 kOhms

典型的な抵抗比：

2.1

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

56

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

- 0.1 A

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

300 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

バルク

DC電流ゲインhFEMax：

56

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 10 V

高さ：

5.33 mm

長さ：

5.2 mm

タイプ：

PNPエピタキシャルシリコントランジスタ

幅：

4.19 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.006286 oz

Tags

FJN430, FJN43, FJN4, FJN