IRF6608

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DirectFET-ST

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

11.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

11 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

15 nC

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

42 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.7 mm

長さ：

4.85 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

HEXFETパワーMOSFET

幅：

3.95 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

立ち下がり時間：

3.4 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12 ns

ファクトリーパックの数量：

4800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001524584

Tags

IRF660, IRF66, IRF6, IRF