SSM3K35AMFV,L3F

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VESM-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

250 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

750 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

350 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

340 pC

最低動作温度：

-

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

東芝

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.5 S

立ち下がり時間：

5.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2 ns

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

6.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2 ns

Tags

SSM3K35AM, SSM3K35A, SSM3K35, SSM3K3, SSM3K, SSM3, SSM