QS8K2TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSMT-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

3.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

38 mOhms, 38 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

4.6 nC, 4.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

QS8K2

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

13 ns, 13 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12 ns, 12 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

29 ns, 29 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns, 8 ns

パーツ番号エイリアス：

QS8K2

Tags

QS8K2, QS8K, QS8