IRLR8103VTRPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

91 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

27 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

115 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

HEXFETパワーMOSFET

幅：

6.22 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

18 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

24 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001558514

単位重量：

0.139332 oz

Tags

IRLR8103VTR, IRLR8103VT, IRLR8103V, IRLR810, IRLR81, IRLR8, IRLR, IRL