SIZ914DT-T1-GE3

SIZ914DT-T1-GE3
Mfr. #:
SIZ914DT-T1-GE3
メーカー:
Vishay
説明:
IGBT Transistors MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
SIZ914DT-T1-GE3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
Vishay Siliconix
製品カテゴリ
FET-アレイ
シリーズ
TrenchFETR
包装
Digi-ReelR代替パッケージ
取り付けスタイル
SMD / SMT
商標名
TrenchFET
パッケージ-ケース
8-WDFN Exposed Pad
テクノロジー
Si
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
表面実装
チャネル数
2 Channel
サプライヤー-デバイス-パッケージ
8-PowerPairR
構成
デュアル
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
パワーマックス
22.7W, 100W
トランジスタタイプ
2 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
30V
入力-静電容量-Ciss-Vds
1208pF @ 15V
FET機能
ロジックレベルゲート
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
16A, 40A
Rds-On-Max-Id-Vgs
6.4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.4V @ 250μA
ゲートチャージ-Qg-Vgs
26nC @ 10V
Pd-電力損失
22.7 W 100 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
5 ns 19 ns
立ち上がり時間
11 ns 127 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
- 16 V + 20 V
Id-連続-ドレイン-電流
16 A 40 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
30 V 30 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
1.2 V 1 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
6.4 mOhms 1.37 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
15 ns 40 ns
典型的なターンオン遅延時間
16 ns 40 ns
Qg-Gate-Charge
17 nC 66 nC
フォワード-相互コンダクタンス-最小
55 S 68 S
チャネルモード
強化
Tags
SIZ91, SIZ9, SiZ
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR EP
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8-Pin PowerPAIR T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
***ark
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETS
***
DUAL N-CHANNEL 30V
モデル メーカー 説明 ストック 価格
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
3000In Stock
  • 3000:$0.8219
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3CT-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
3000In Stock
  • 1000:$0.9093
  • 500:$1.0975
  • 100:$1.4110
  • 10:$1.7560
  • 1:$1.9400
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # SIZ914DT-T1-GE3DKR-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
3000In Stock
  • 1000:$0.9093
  • 500:$1.0975
  • 100:$1.4110
  • 10:$1.7560
  • 1:$1.9400
SIZ914DT-T1-GE3
DISTI # 781-SIZ914DT-T1-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
RoHS: Compliant
0
    SIZ914DT-T1-GE3Vishay Intertechnologies 2811
      画像 モデル 説明
      SIZ914DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIZ980DT-T1-GE3
      SIZ914DT-T1-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-T1-GE3-VISHAY

      IGBT Transistors MOSFET 30V 16/40A 23/100W TrenchFET
      SIZ914DT-GE3

      Mfr.#: SIZ914DT-GE3

      OMO.#: OMO-SIZ914DT-GE3-1190

      ブランドニューオリジナル
      可用性
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      100
      $1.11
      $110.96
      500
      $1.05
      $524.00
      1000
      $0.99
      $986.30
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