IPB60R099P7ATMA1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

31 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

77 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

45 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

117 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

89 ns

典型的なターンオン遅延時間：

23 ns

パーツ番号エイリアス：

IPB60R099P7 SP001664910

Tags

IPB60R099, IPB60R09, IPB60R0, IPB60R, IPB60, IPB6, IPB