IXFN27N80Q

IXFN27N80Q
Mfr. #:
IXFN27N80Q
メーカー:
Littelfuse
説明:
MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
IXFN27N80Q データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
IXYS
製品カテゴリ
モジュール
シリーズ
IXFN27N80
包装
チューブ
単位重量
38 g
取り付けスタイル
SMD / SMT
商標名
HyperFET
テクノロジー
Si
チャネル数
1 Channel
構成
シングルデュアルソース
パッケージ-ケース
SOT-227-4
トランジスタタイプ
1 N-Channel
Pd-電力損失
520 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
13 ns
立ち上がり時間
28 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-連続-ドレイン-電流
27 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
800 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
320 mOhms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
50 ns
典型的なターンオン遅延時間
20 ns
チャネルモード
強化
Tags
IXFN27, IXFN2, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ukat
N-Ch 800V 27A 520W 0,32R SOT227B
***pNet
N CH MOSFET, 800V, 27A, SOT-227B;
***ark
N Channel Mosfet, 800V, 27A, Sot-227B; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:800V; Continuous Drain Current Id:27A; On Resistance Rds(On):0.32Ohm; Transistor Mounting:module; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
モデル メーカー 説明 ストック 価格
IXFN27N80Q
DISTI # IXFN27N80Q-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 10:$29.7850
IXFN27N80Q
DISTI # 14J1686
IXYS CorporationN CHANNEL MOSFET, 800V, 27A, SOT-227B,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:27A,Drain Source Voltage Vds:800V,On Resistance Rds(on):0.32ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:4.5V,MSL:- RoHS Compliant: Yes8
  • 250:$23.3400
  • 100:$25.4400
  • 50:$26.2100
  • 25:$27.1100
  • 10:$28.0000
  • 5:$28.9000
  • 1:$29.7900
IXFN27N80Q
DISTI # 747-IXFN27N80Q
IXYS CorporationMOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
RoHS: Compliant
0
  • 10:$29.7900
  • 30:$27.3700
  • 50:$26.2100
  • 100:$25.4400
  • 200:$23.3400
IXFN27N80Q
DISTI # 4905593
IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B
RoHS: Compliant
8
  • 100:$41.0200
  • 10:$43.3500
  • 1:$44.1800
IXFN27N80Q
DISTI # 4905593
IXYS CorporationMOSFET, N, SOT-227B8
  • 10:£21.3600
  • 5:£21.6700
  • 1:£21.9800
画像 モデル 説明
IXFN210N30P3

Mfr.#: IXFN210N30P3

OMO.#: OMO-IXFN210N30P3

MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
IXFN200N10P

Mfr.#: IXFN200N10P

OMO.#: OMO-IXFN200N10P

MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
IXFN240N15T2

Mfr.#: IXFN240N15T2

OMO.#: OMO-IXFN240N15T2

MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFN26N90

Mfr.#: IXFN26N90

OMO.#: OMO-IXFN26N90

MOSFET 900V 26A
IXFN280N07

Mfr.#: IXFN280N07

OMO.#: OMO-IXFN280N07

MOSFET 280 Amps 70V 0.006 Rds
IXFN200N10P

Mfr.#: IXFN200N10P

OMO.#: OMO-IXFN200N10P-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
IXFN22N55

Mfr.#: IXFN22N55

OMO.#: OMO-IXFN22N55-1190

ブランドニューオリジナル
IXFN250N06

Mfr.#: IXFN250N06

OMO.#: OMO-IXFN250N06-1190

ブランドニューオリジナル
IXFN20N120

Mfr.#: IXFN20N120

OMO.#: OMO-IXFN20N120-IXYS-CORPORATION

MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
IXFN26N90

Mfr.#: IXFN26N90

OMO.#: OMO-IXFN26N90-IXYS-CORPORATION

MOSFET 900V 26A
可用性
ストック:
Available
注文中:
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参考価格(USD)
単価
小計金額
1
$35.01
$35.01
10
$33.26
$332.60
100
$31.51
$3 150.90
500
$29.76
$14 879.25
1000
$28.01
$28 008.00
2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
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