SBC847BPDXV6T1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563-6

トランジスタの極性：

NPN

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 45 V, 45 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

-5 V, 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

250 mV

最大DCコレクタ電流：

15 nA

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

BC847BPDXV6

DC電流ゲインhFEMax：

475

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

357 mW, 500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000106 oz

Tags

SBC847BP, SBC847B, SBC847, SBC84, SBC8, SBC