FQS4900TF

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V, 300 V

Id-連続ドレイン電流：

1.3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

550 mOhms, 15.5 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.75 mm

長さ：

4.9 mm

シリーズ：

FQS4900

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

3.9 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

1.7 S, 0.6 S

立ち下がり時間：

17 ns, 47 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

21 ns, 25 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

11 ns, 35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.7 ns, 10 ns

単位重量：

0.008127 oz

Tags

FQS4900, FQS49, FQS4, FQS