2N6308

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3-2

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

350 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

700 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

8 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

5 V

ゲイン帯域幅積fT：

5 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

シリーズ：

2N6308

DC電流ゲインhFEMax：

60 at 3 A, 5 V

包装：

チューブ

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

8 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

3 at 8 A, 5 V

Pd-消費電力：

125 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2N6308 PBFREE

Tags

2N630, 2N63, 2N6