NTND31225CZTAG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

XLLGA-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

220 mA, 127 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

800 mOhms, 2.1 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV, 1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

-

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

125 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

NTND31225CZ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.48 S, 0.35 S

立ち下がり時間：

80 ns, 171 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25.5 ns, 71 ns

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

142 ns, 280 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16.5 ns, 37 ns

Tags

NTND, NTN