2SD1757KT146R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

15 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6.5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.1 V

最大DCコレクタ電流：

0.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

150 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SD1757K

DC電流ゲインhFEMax：

580

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

包装：

リール

幅：

1.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

0.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

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