DMN6013LFGQ-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerDI3333-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

45 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

9.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

55.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

40 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

11.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9.9 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

27.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6.2 ns

Tags

DMN6013, DMN601, DMN60, DMN6, DMN