CGHV1J025D-GP4

CGHV1J025D-GP4
Mfr. #:
CGHV1J025D-GP4
メーカー:
N/A
説明:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
CGHV1J025D-GP4 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
CGHV1J025D-GP4 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
カーボ
製品カテゴリ:
RFJFETトランジスタ
JBoss:
Y
トランジスタタイプ:
HEMT
テクノロジー:
GaN SiC
利得:
20 dB
トランジスタの極性:
Nチャネル
Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧:
50 V
Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧:
145 V
Id-連続ドレイン電流:
2.5 A
出力電力:
70 W
最低動作温度:
- 40 C
最高作動温度:
+ 85 C
Pd-消費電力:
64 W
取り付けスタイル:
スクリューマウント
パッケージ/ケース:
NI-360
包装:
トレイ
構成:
独身
動作周波数:
3.7 GHz
動作温度範囲:
- 40 C to + 85 C
シリーズ:
QPD
ブランド:
カーボ
開発キット:
QPD1015LPCB401
製品タイプ:
RFJFETトランジスタ
ファクトリーパックの数量:
25
サブカテゴリ:
トランジスタ
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧:
- 2.8 V
Tags
CGHV1J02, CGHV1J, CGHV1, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 40V DIE
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
CGHV1J025D-GP4
DISTI # V36:1790_22799863
Cree, Inc.RF POWER TRANSISTOR0
  • 25000:$46.5200
  • 5000:$48.2700
  • 500:$52.3800
  • 50:$53.1400
CGHV1J025D-GP4
DISTI # CGHV1J025D-GP4-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
120In Stock
  • 10:$41.7200
CGHV1J025D-GP4
DISTI # 941-CGHV1J025D
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
RoHS: Compliant
0
  • 10:$46.8100
CGHV1J025D-GP4
DISTI # CGHV1J025D-GP4
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 50:$42.6500
画像 モデル 説明
CMPA1D1E025F

Mfr.#: CMPA1D1E025F

OMO.#: OMO-CMPA1D1E025F

RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
CGHV1J070D-GP4

Mfr.#: CGHV1J070D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J070D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 40V DIE
CGHV1J070D-GP4

Mfr.#: CGHV1J070D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J070D-GP4-WOLFSPEED

RF POWER TRANSISTOR
CMPA1D1E025F

Mfr.#: CMPA1D1E025F

OMO.#: OMO-CMPA1D1E025F-WOLFSPEED

IC AMP 13.75GHZ-14.5GHZ 440208
可用性
ストック:
Available
注文中:
1500
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参考価格(USD)
単価
小計金額
10
$46.81
$468.10
2021年から半導体が不足しているため、2021年以前の通常価格以下の価格です。お問い合わせください。
皮切りに
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