FDMC3612

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

Power-33-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

16 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

122 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

14.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

35 W

構成：

独身

包装：

リール

高さ：

0.8 mm

長さ：

3.3 mm

シリーズ：

FDMC3612

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

NチャネルパワートレンチMOSFET

幅：

3.3 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

13 S

立ち下がり時間：

2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

19 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.4 ns

単位重量：

0.006349 oz

Tags

FDMC3, FDMC, FDM