NTD4960N-1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

11.1 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6.1 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

11 nC

最高作動温度：

+ 85 C

Pd-消費電力：

1.68 W

構成：

独身

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

48 S

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns

ファクトリーパックの数量：

75

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD4960, NTD496, NTD49, NTD4, NTD