IRF630NSTRRPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

9.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

300 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

23.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

82 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

HEXFETパワーMOSFET

幅：

6.22 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.9 S

立ち下がり時間：

15 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

27 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.9 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001561818

単位重量：

0.139332 oz

Tags

IRF630NST, IRF630NS, IRF630N, IRF630, IRF63, IRF6, IRF