CSD18509Q5BT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VSON-Clip-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.8 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

150 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

195 W

構成：

独身

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

6 mm

シリーズ：

CSD18509Q5B

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

180 S

立ち下がり時間：

11 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

19 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

57 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

単位重量：

0.000847 oz

Tags

CSD1850, CSD185, CSD18, CSD1, CSD