SI3459BDV-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOP-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

2.9 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

216 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

7.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.3 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

3.05 mm

シリーズ：

SI3

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

1.65 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

12 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns

パーツ番号エイリアス：

SI3459BDV-GE3

単位重量：

0.000705 oz

Tags

SI3459BDV-T, SI3459BDV, SI3459B, SI3459, SI345, SI34, SI3