RT1A050ZPTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSST-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

26 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.25 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.8 mm

長さ：

3 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

RT1A050ZP

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

1.6 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

220 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

95 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

410 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

パーツ番号エイリアス：

RT1A050ZP

Tags

RT1A05, RT1A0, RT1A, RT1