2SA1579T106S

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 120 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 120 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 500 mV

最大DCコレクタ電流：

- 50 mA

ゲイン帯域幅積fT：

140 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SA1579

DC電流ゲインhFEMax：

270 at 2 mA, 6 V

高さ：

0.8 mm

長さ：

2 mm

包装：

リール

幅：

1.25 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

270

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000176 oz

Tags

2SA1579T10, 2SA1579T, 2SA1579, 2SA157, 2SA15, 2SA1, 2SA