ZXMN3AM832TA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

T

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MLP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

3.7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

180 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

3 mm

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

2 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

2.9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.3 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

6.6 ns

典型的なターンオン遅延時間：

1.7 ns

単位重量：

0.010582 oz

Tags

ZXMN3AM8, ZXMN3AM, ZXMN3A, ZXMN3, ZXMN, ZXM