DMNH6021SPDQ-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerDI5060-C-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

8.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

15 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

20.1 nC, 20.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

2.8 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

5.4 ns, 5.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6 ns, 6 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

14.2 ns, 14.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.4 ns, 4.4 ns

単位重量：

0.004092 oz

Tags

DMNH6021SPD, DMNH6021SP, DMNH6021, DMNH602, DMNH6, DMNH, DMN