KSA3010RTU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3P-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 120 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 120 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 2.5 V

最大DCコレクタ電流：

6 A

ゲイン帯域幅積fT：

30 MHz

最低動作温度：

- 50 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

160

高さ：

19.9 mm

長さ：

15.6 mm

包装：

チューブ

幅：

4.8 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

- 6 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

55

Pd-消費電力：

60 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.238311 oz

Tags

KSA30, KSA3, KSA