MMST5086T146

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

3 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

50 mV

最大DCコレクタ電流：

200 mA

ゲイン帯域幅積fT：

40 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

500 at 100 uA, 5 V

包装：

リール

ブランド：

ロームセミコンダクター

連続コレクタ電流：

200 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

150 at 10 mA, 5 V

Pd-消費電力：

350 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

MMST5086

単位重量：

0.000282 oz

Tags

MMST50, MMST5, MMST, MMS