IRFHS8342TR2PBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PQFN-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

8.8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

16 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

8.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

2 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

18 S

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15 ns

ファクトリーパックの数量：

400

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

5.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.9 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001575842

単位重量：

0.017637 oz

Tags

IRFHS83, IRFHS8, IRFHS, IRFH, IRF