IRF6710S2TR1PBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DirectFET-S1

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

37 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

11.9 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

8.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

15 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.74 mm

長さ：

4.85 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

DirectFETパワーMOSFET

幅：

3.95 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

フォワード相互コンダクタンス-最小：

21 S

立ち下がり時間：

6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

20 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

5.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.9 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001530274

単位重量：

0.003527 oz

Tags

IRF6710, IRF671, IRF67, IRF6, IRF